Samsung rusza z produkcją modułów pamięci 20 nm 6 Gb LPDDR3 Mobile DRAM
Firma Samsung Electronics potwierdziła rozpoczęcie masowej produkcji układów pamięci 6 gigabitów (Gb) typu low-power double data rate 3 (LPDDR3) Mobile DRAM, opartych na technologii 20 nanometrów (nm). Mają one zapewniać dłuższą pracę baterii i szybsze wczytywanie aplikacji na urządzeniach mobilnych o dużych ekranach i większej rozdzielczości.
Nowy układ 6 Gb LPDDR3 od Samsunga cechuje transfer danych do 2,133 megabita na sekundę (Mbps). Pakiet 3 GB LPDDR3, który składa się z czterech układów 6 Gb LPDDR3, jest o ponad 20% mniejszy i zużywa ok. 10 proc. mniej energii niż obecnie dostępne pakiety 3 GB z układami 6 Gb LPDDR3, wyprodukowane w oparciu o poprzednią technologię koreańskiej firmy.
Wykorzystanie technologii 20 nm ma zapewniać również o 30 proc. większą produktywność w porównaniu do poprzednich technologii.
W marcu br. Samsung po raz pierwszy zastosował technologię 20 nm w układzie 4 Gb DDR3 dla komputerów PC, a teraz rozszerzył jej zastosowanie na mobilne pamięci DRAM.
Dołącz do dyskusji: Samsung rusza z produkcją modułów pamięci 20 nm 6 Gb LPDDR3 Mobile DRAM