Technologia 3D TSV firmy Samsung poprawia wydajność i pozwala rozwiązać problem zmniejszenia poboru mocy
SEUL, Korea, 7 grudnia 2010 – Samsung Electronics, światowy lider na rynku zaawansowanych technologii pamięci, poinformował o stworzeniu 8-gigabajtowego (GB) modułu RDIMM (registered dual inline memory module), opartego na zaawansowanym rozwiązaniu Green DDR3 DRAM. Nowy moduł pamięci, którego testy zakończyli już główni klienci Samsunga, charakteryzuje się niezwykłą wydajnością, wynikającą przede wszystkim z użycia trójwymiarowej (3D) technologii określanej jako TSV ("through silicon via”).
„Samsung jest doskonale przygotowany do tego, by zaspokoić rodzący się popyt na naszą najnowocześniejszą technologię TSV w sytuacji dynamicznego rozwoju technologii łączenia umożliwiającego jeszcze większą wydajność operacyjną” powiedział dr Chang-Hyun Kim, senior vice president w Dziale Planowania i Wdrażania Pamięci Samsung Electronics. „Dzisiejsza informacja o opracowaniu modułów RDIMM klasy 40nm inauguruje wprowadzenie bardziej zaawansowanej linii ekologicznych "Zielonych Pamięci”, wykorzystujących technologię 3D-TSV, co powinno ugruntować wiodącą pozycję Samsunga i naszych partnerów w branży pamięci serwerowej i klasy Enterprise.”
Wykorzystująca technologię 3D TSV 8-gigabajtowa pamięć RDIMM firmy Samsung, pozwala zmniejszyć pobór mocy nawet o 40% w porównaniu z tradycyjnym modułem RDIMM. Technologia TSV pozwala również znacznie zwiększyć zagęszczenie układów pamięci, co ma zrekompensować zmniejszenie liczby gniazd pamięci w systemach serwerów następnej generacji. W obliczu spadku liczby gniazd pamięci w serwerach następnej generacji o 30% technologia TSV pozwoli zwiększyć zagęszczenie DRAM o ponad 50%, co czyni ją szczególnie atrakcyjną dla systemów serwerowych charakteryzujących się wysoką zwartością i wydajnością.
Technologia TSV firmy Samsung pozwala rozwiązać problem zmniejszenia poboru mocy w serwerach przy jednoczesnym zwiększeniu pojemności pamięci i poprawie wydajności.
Technologia TSV polega na stworzeniu w krzemie pionowych mikrometrowych otworów, wypełnianych miedzią. Dzięki wykorzystaniu procesu TSV zamiast konwencjonalnej metody łączenia drutowego (wire bonding), znacznemu skróceniu uległy linie sygnałowe, dzięki czemu wielowarstwowy układ może funkcjonować na poziomie porównywalnym z pojedynczym krzemowym układem scalonym.
Po przeprowadzeniu testów wydajności Samsung przygotowuje swoją technologię TSV do różnorodnych zastosowań w serwerach z rygorystycznymi wymaganiami dotyczącymi wydajności i mocy.
Należy się spodziewać, że technologia 3D TSV zacznie się przyjmować powszechnie od roku 2012. Użyte w technologii TSV rozwiązania, zapewniające wyższą wydajność i niższy pobór mocy, Samsung planuje zastosować w pamięciach klasy 30 nm i mniejszych.
Więcej informacji na temat pamięci Green DDR3 Samsunga można znaleźć pod adresem www.samsung.com/GreenMemory
